АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТОЧНОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
Документы соответствия, в которых организация указана заявителем или изготовителем.
Официальный реестр ЕАЭС ↗Связи и идентификатор получены из карточек документов ЕАЭС и национального обогащения ФСА. Страница не является выпиской из реестра юридических лиц и не подтверждает текущий статус организации. Обнаружена неоднозначность названия или идентификатора; страница временно исключена из индекса.
Документы заявителя
Всего связей: 20Вакуумные установки плазмохимического травления
ЕАЭС N RU Д-RU.АК01.В.15491/19Установка вакуумной термообработки,
ЕАЭС N RU Д-RU.КА01.В.07987/19Установки плазмохимического осаждения из газовой фазы,
ЕАЭС N RU Д-RU.КА01.В.07988/19Установки магнетронного распыления с автоматическим управлением,
ЕАЭС N RU Д-RU.НХ37.В.05214/20Оборудование для термической обработки материалов
ЕАЭС N RU Д-RU.НХ37.В.06116/20Вакуумные установки плазмохимического травления
ЕАЭС N RU Д-RU.РА03.В.99826/21Установки электронно-лучевого напыления металлических плёнок
ЕАЭС N RU Д-RU.РА03.В.99538/21Кластерные установки магнетронного напыления
ЕАЭС N RU Д-RU.РА10.А.63333/23Вакуумная установка плазмохимического осаждения "ИЗОФАЗ ТМ 150"
ЕАЭС N RU Д-RU.РА10.А.83821/23Малогабаритная установка термической обработки пластин и материалов в вакууме или в газовой среде
ЕАЭС N RU Д-RU.РА11.А.11093/23Установка вакуумная нанесения пленок методом термического испарения ТИС ТМ-7
ЕАЭС N RU Д-RU.РА01.В.92968/24Технологический модуль быстрого термического отжига слоёв "БТО ТМ 200-01"
ЕАЭС N RU Д-RU.РА04.А.61024/24Установка кластерная для проведения процессов плазмохимического травления поликремния "Кластер ПХТ PoliSi"
ЕАЭС N RU Д-RU.РА04.А.60966/24Установка кластерная для проведения процессов плазмохимического травления (ICP RIE) слоев металлизации Кластер ПХТ Al
ЕАЭС N RU Д-RU.РА04.А.61599/24Установка кластерная для проведения процессов плазмохимического травления поликремния
ЕАЭС N RU Д-RU.РА04.А.61687/24Установка кластерная для проведения процессов плазмохимического травления (ICP RIE) слоев металлизации
ЕАЭС N RU Д-RU.РА11.А.01987/24Установка магнетронного напыления Al, Al-Si (с опциями предварительной ионной/плазменной зачистки)
ЕАЭС N RU Д-RU.РА11.А.24843/24Установка роста эпитаксиальных слоев на кремниевых пластинах Эпиквар ТМ
ЕАЭС N RU Д-RU.РА10.А.90075/25Установка плазмохимического травления
ЕАЭС N RU Д-RU.РА04.А.33801/26Вакуумная установка плазмохимического травления оксида кремния